光電變換薄膜材料的制備原理技術
當金屬或半導體受到光照射時，其表面和體內的電子因吸收光子能量而被激發，如果被激發的電子具有足夠的能量，足以克服表面勢壘而從表面離開，產生了光電子發射效應。CIS薄膜太陽能電池是以銅銦硒（CIS）為吸收層的薄膜太陽能電池。目前，還有在CIS中摻人部分Ga、A1來代替CIS中的In，從而形成CIGS或CIAS薄膜太陽能電池的結構；而且這一類電池被認為是未來最有希望實現產業化和大規模應用的化合物薄膜太陽能電池。美國的CuInSe2-cd（zn）s薄膜太陽能電池的光電轉換效率可達12%，這使CIGS薄膜太陽能電池成為高性能薄膜太陽能電池的前列。
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主要介紹CIGS薄膜的制備技術。 薄膜面板
①Mo背電極薄膜的沉積。在電池研究過程中，包括Mo、Pt、Ni、A1、Au、Cu和Ag在內的很多金屬都被試著用來制作背電極接觸材料。研究發現，除了Mo和Ni之外，在制備CIGS薄膜的過程中，這些金屬都會和CIGS產生不同程度的相互擴散。擴散引起的雜質將導致更多復合中心的產生，最終將導致電池效率的下降。在高溫下Mo具有比Ni更好的穩定性，不會和Cu、In產生互擴散，并且具有很低的接觸電阻，所以一直被用做理想的背電極材料。 薄膜面板
Mo的沉積厚度約為0.5-1.5μm。首先在鈉鈣玻璃上采用射頻磁控濺射、直流磁控濺射或真空熱蒸發的方法沉積厚度約為1.0μm的Mo層。由于直流磁控濺射技術制備的Mo薄膜的均勻性好，薄膜的沉積速率高，所以，一般在沉積Mo薄膜時多采用直流磁控濺射技術來沉積。 薄膜面板
②CIGS薄膜的沉積。具有黃銅礦結構的化合物材料CulnSe2（CIS）或CulnGaSe2（CIGS）在可見光范圍內的吸收系數高達105 cm-1，通過改變鎵的含量，其禁帶寬度在1.04～1.67 eV范圍內可調，可以制備出*禁帶寬度的半導體材料。同時具有好的穩定性，耐空間輻射，屬于*的薄膜太陽能材料之一。美國可再生能源實驗室用Cu、In、Se、Ga四元共蒸發沉積法制備的薄膜太陽能電池的轉化效率已經高達18.8%。雖然共蒸發法在小面積電池上取得了*的效率，在大面積制備薄膜太陽能電池的產業化應用方面，卻存在其難以克服的障礙。目前采用較多的方法仍然是磁控濺射法。基于磁控濺射的工藝也有很多，主要有濺射預制薄膜后硒化方法，預制薄膜的制備等。基于以上的要求，制備的Culn（CuInGa）預制薄膜厚度為600～700 nm，Se化后Cu—InGaSe2薄膜的厚度為1.8～2.0μm，整個厚度會有2～3倍的提高。 薄膜面板
